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【B4-Flashメモリ：新しい動作原理を用いた低コスト、高速、高信頼のフラッシュメモリ】
B4-Flashメモリとは当社発明の新しい動作原理、B4-HE(Back Bias assisted Band-to-Band tunneling Hot Electron)書込みを用いた
独自のフラッシュメモリです。B4-FlashメモリはNOR型Flashメモリと同等の高速読出し、NAND型Flashメモリ並の小さいメモリ素子サイズに加えて、
高速書込みを実現できます。
NOR型Flashメモリ：
| デジタル電子機器のプログラムなどを保存する高速読出し用途向けの不揮発性半導体メモリ。高速読出しに向いた構造ですが、動作原理的にメモリ素子が大きくなるという課題があります。
| | NAND型Flashメモリ： | 主に画像や音楽などのデジタル・データを格納する低コストの不揮発性半導体メモリ。ＳＤカードやＵＳＢメモリに用いられています。構造上、平面型半導体メモリとしては理想的に小さいメモリ素子を実現しますが、動作原理的にプログラム・データなどの高速ランダム読出しには向きません。 |
【当社発明の新動作原理：B4-HE書込み動作 (Back Bias assisted Band-to-Band tunneling Hot Electron)】
B4-Flashメモリはメモリ素子にP型MOSトランジスタを用い、（1）バンド間トンネリングという物理現象により電子を発生させ、（2）基板に印加した電圧で加速しエネルギーの高い電子にし、（3）蓄積電極に注入する事で書き込みを行う、当社新発明技術（特許取得済）です。
・GENUSION特許：B4-HE注入方式 + Pch MOSメモリトランジスタ
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- 高速書き替え特性を実現 - 従来NOR型の半分のセルサイズが可能 - 多数回の書換えを行った後でも高温での安定した長期間データ保存が可能 |
【B4-Flashメモリで業界最小レベルのNORセルを実現】
従来型NOR型Flashメモリではその動作上の制約によりメモリ素子の電極の長さ（ゲート長）は100nm〜110nmが物理限界と言われています。B4-Flashメモリにおいては新発明のB4-HE動作原理によりその制約が小さく、これを縮小する事が可能となり、ゲート長50nmでのメモリ素子動作を確認しています。この良好な微細加工性の特徴によりNOR型の半分、NAND型に近い小さなメモリ素子サイズを実現する事ができます。ゲート長50nmのメモリ素子の動作の確認の後、130nm 4Mbitテストチップを経て、90nmにて512Mb/1Gb B4-Flashを製品化、メモリ動作と高い信頼性を実証しました。現在は更なる大容量製品の開発を進めています。
【B4-Flashメモリへの市場の期待】
半導体の微細化に対応できず大容量化が困難となっているプログラム保存用のNOR型Flashメモリに対して、B4-Flashメモリでは高速読出し性能はそのままでメモリ素子サイズ＝チップ・コストを半減化でき、微細加工性も良好なため、将来のプログラム保存メモリとして大きな期待が寄せられています。 2008年にはフィンランド・ノキア社主催の"Mobile Rules '08" (同社の第１回技術コンペ)で”Best Future Device Architecture”として最優秀賞を受賞いたしました。また、多数回書換え後の高温下での優れたデータ保持特性により、これまでの技術では困難であった様々な用途での活用が期待されています。 |
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