会社沿革

2002/11/26

株式会社GENUSION設立

2003/10

中小企業創造活動促進法にて事業認定

2004/06

B4-Flash最初のメモリセル試作を行い、ゲート長50nmでB4-Flash動作を確認

2004/09

２層Flex-MCP技術による受託生産開始 (大手組立生産会社を生産委託先として)

2005/04

３層Flex-MCP技術による受託生産開始

2006/03

130nm、4Mbitのテストチップを試作しB4-Flashアレイ動作を実証、信頼性評価を実施

2006/06

半導体国際学会“2006 Symposium on VLSI Technology”にて世界初の50nmゲート長NORセルをB4-Flash技術で発表

2006/06

経済産業省の中小企業新事業活動支援補助金に当社不揮発性メモ リ技術の開発が採択

2007/08

半導体メモリ国際学会“2007 Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop”にてB4-Flash開発成果について発表

2007/08

NEDOの助成事業としてB4-Flash技術の実用化開発が採択

2008/03

フィンランド・ノキア社主催の第1回技術コンペにおいて、B4-FlashがBest Future Device Architectureとして最優秀賞に選出され、製品化について協議を進める権利を獲得

2008/04

環境マネジメントシステムISO14001の認証を取得

2008/05

B4-Flash及びeCFlash技術開発の成果について、半導体メモリ国際学会“2008 Non-Volatile Semiconductor Memory Workshop”にて発表

2008/11

90nm B4-Flash検証用 64Mbitテストチップの第1試作品で動作を確認

2009/02

EE Times社の2008 Emerging Startupsのリストに世界60社中の1社として選出

2009/05

半導体メモリ国際学会“2009 International Memory Workshop”にて従来型NORフラッシュの限界を超えたゲート長90nm,メモリセルの製品化技術を発表

2010/05

株式会社産業革新機構による投資が実施

2010/12

神奈川県川崎市の「かながわサイエンスパーク」(KSP)に当社の設計能力拡大のため、東京デザインセンター(TDC)を開設、業務を開始

2011/11

急激に拡大している中国の半導体メモリ市場に対応して、当社メモリソリューション提供のため、当社の中国現地法人を上海に設立